IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), este compus dintr-un MOS (insulated gate field effect tranzistor) și un BJT (tranzistor bipolar). Este un dispozitiv semiconductor de putere comandat de tensiune. IGBT poate fi un singur dispozitiv discret sau un modul, fiecare tip având propria sa gamă de aplicații. În industrie, este utilizat în controlul traficului, conversia puterii, motoare industriale, sursă de alimentare neîntreruptibilă UPS, echipamente pentru turbine eoliene și energie solară, convertor de frecvență etc. În electronice de larg consum, este folosit în aparate de uz casnic, pile de încărcare, vehicule electrice. , scule electrice etc.